为什么造芯片比造原子弹还难？看了本文介绍的芯片制造流程你就明白了。想要制造芯片，首先需要制造的就是晶圆，制造晶圆需要将沙子在1800度左右的高温下融化，经过精炼去除杂质后。放入硼，硼这种元素加入后，可以改变晶圆导电性，然后继续加热，并向液态硅中放入籽晶。当籽晶与高温的液态硅接触时，液态硅表面的温度会瞬间下降，当籽晶不断旋转上拉时，液态硅就会粘在籽晶身上，并不断凝固，最终就能得到一个高纯度的硅锭了。接着将硅锭切割成一块块厚度小于一毫米的晶圆。切割后的晶圆表面并不平整，还需要进行打磨，抛光等一系列工序，之后就得到一块极其平整的硅晶圆了。

由于晶圆非常娇贵，为了避免污染。还需要加上一层氧化膜，这就需要用氧化设备对硅片进行氧化。晶片每25张装在一个盒子内，然后自动机械手将晶片送入氧化设备内，机械臂再将晶片放入相应的位置上，接着开始进行氧化。首先需要向设备内部注入氧气，晶片周围加热线圈会不停的释放热量。达到一定温度，氧原子就会与晶圆表面进行反应，形成一层绝缘的二氧化硅。

接下来就是光刻了，这也是芯片制造最难的步骤，光刻之前需要进行涂胶。首先将制造好的硅晶圆转移到涂胶设备上，借助机器旋转的离心力，在晶圆上均匀的涂上一层光刻胶。涂胶完成后，接下来就是光刻环节了，一台EUV光照射到底部晶圆的光刻胶上。

光掩膜跟丝网喷印的原理一样，上面刻有集成电路图形，当光线穿过光掩膜时，就会将光掩膜上的电路图形雕刻到光刻胶上，在光的照射下。光刻胶上的化学物质开始发生反应，见光的地方光刻胶会变成可溶解状态，接下来要做的就是显影。直接将晶圆浸泡在显影溶液中，可溶解状态的光刻胶就会被冲洗掉，而不见光的光刻胶部分则留了下来。

但是通过显影,电路图还只是停留在光刻胶层面.怎么将电路雕刻在晶片上面呢？这就要用到刻蚀。最常用的刻蚀是干法刻蚀，一台蚀刻机经显影处理后的晶片放入进去，接着将四氟化碳和氧气、铱等离子体的形式放入石刻机内部。等离子体会与晶片表面发生化学反应，而有光刻胶的地方则不会发生反应。这样一来，掩膜上的图形就被雕刻到晶片上。

但是新雕刻的地方氧化膜被蚀刻掉了怎么办呢？这就要用到芯片沉积技术了，首先将晶圆转移到沉积设备上。然后通入四氢化硅气体，并施加等离子体控制反应气压和温度，这样氢原子就会自动脱离，只留下硅原子沉积下来，通过反应后就能生成一层保护规模了。另外，为了提高芯片的电学性质，还需要进行离子注入。用高能量的电场将离子加速后直接打入晶圆内部，离子注入就完成了。

到目前为止，我们已经在晶圆上盖了很多房子，怎么将它们连通呢？这就要进行金属填充，而芯片有上百亿这样的房子需要连通。内部宛如一座超大型城市，真实的芯片制造远远比这复杂很多倍，有着非常多的工艺，而且所有工艺都是在纳米级别的空间进行操作，这些工艺交叉重复完成，最终制造出整个晶圆。

然后将晶圆切割成一个个小芯片，接着进行封装测试，测试通过芯片就能安装在电子产品的PCB上了。